Amorphisation d'une cible d'AsGa par des ions As - Archive du Journal de Physique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique III Année : 1992

Amorphisation d'une cible d'AsGa par des ions As

J. Beauvillain
  • Fonction : Auteur
Alain Claverie
K. Akmoum
  • Fonction : Auteur

Résumé

Le modèle de la densité d'énergie critique donne une analyse pratique de la transition cristal/amorphe induite par implantation ionique. Nous l'avons appliqué au cas d'un cristal d'arséniure de gallium irradié, à température ambiante, par des ions arsenic accélérés sous une tension de 100 kV. L'observation des dépôts irradiés en microscopie électronique par la tranche nous a permis de tracer un diagramme d'état expérimental qui permet pour un tel système de prédire les effets d'une implantation. En associant ces résultats à la distribution de la densité d'énergie de dommage donnée par TRIM, nous avons trouvé pour ce système une valeur de la densité d'énergie critique égale à 50 eV/mol.

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Dates et versions

jpa-00248754 , version 1 (04-02-2008)

Identifiants

Citer

J. Beauvillain, Alain Claverie, K. Akmoum. Amorphisation d'une cible d'AsGa par des ions As. Journal de Physique III, 1992, 2 (3), pp.407-414. ⟨10.1051/jp3:1992138⟩. ⟨jpa-00248754⟩

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